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物元半导体请求依据要害尺度扫描电子显微镜的堆叠差错丈量与补偿专利处理半导体层间堆叠偏移量丈量和对准问题

时间: 2024-10-21 10:07:22 |   作者: LED灯具系列

  • 产品概述

  金融界2024年10月9日音讯,国家知识产权局信息数据显现,物元半导体技能(青岛)有限公司请求一项名为“依据要害尺度扫描电子显微镜的堆叠差错丈量与补偿办法”的专利,公开号 CN 118748156 A,请求日期为 2024 年 6 月。

  专利摘要显现,本发明触及一种依据要害尺度扫描电子显微镜(CDSEM)的堆叠差错(Overlay)丈量与补偿办法,包括如下过程:依照设定的结构和/或尺度和/或方位联系在芯片的不同层制备测验结构,该测验结构包括用于量测多个方向尺度的特征;经过光刻曝光对芯片的前层和后层进行曝光,别离确认测验结构的两部分;刻蚀构成测验结构;运用扫描电子显微镜别离丈量前层和后层的测验结构的要害尺度;依据丈量要害尺度,核算后层结构相对于前层结构的偏移量;依据核算得到的偏移量,确认后层与前层结构的偏移状况,并依据偏移量调整光刻机或其他工艺参数以完成层间对准。本发明处理了现存技能中半导体层间堆叠偏移量的丈量,和加工中完成层间对准的技能问题。

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